半导体设备行业系列研究之二十八：玻璃基板从零到一，TGV为关键工艺240526

识别风险，发现价值请务必阅读末页的免责声明1/43[Table_Page]深度分析|专用设备证券研究报告[Table_Title]半导体设备系列研究之二十八玻璃基板从零到一，TGV为关键工艺[Table_Summary]核心观点：⚫玻璃基板优势明显，英特尔持续加码。玻璃相对于传统的硅和有机物材料，拥有更低的成本、更低的介电常数、更短的互联长度和更高的传输速率以及带宽密度，能耗可以有效降低；根据英特尔官网23年9月发布的演讲中，公司表示已经在玻璃基板领域布局了数年，目前推出了玻璃基板封装实验产品，将玻璃基板、CPO（Co-packagedOptics）以及相关的TGV（ThroughGlassVia）工艺视为重要发展方向。⚫玻璃基板可用于替代硅中介层以及有机物中介层。以台积电的COWOS封装为例，中介层（interposer）一般选用硅（COWOS-S）、有机物（COWOS-R）或者是硅和有机物的结合（COWOS-L），玻璃基板直接利用玻璃中介层（GlassInterposer）实现芯片之间、芯片与外部的互联，利用玻璃材质成本低、电学性能好、翘曲低等优点来克服有机物材质和硅材质的缺陷，来实现更稳定、更高效的连接以及降低生产成本，有望为2.5D/3D封装带来全新的范式改变。⚫玻璃通孔成孔技术、通孔填孔技术以及高密度布线为关键工艺。TGV通孔的制备需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求，如何制备出高深宽比、窄节距、高垂直度、高侧壁粗糙度、低成本的玻璃微孔一直是多年来各种研究工作的重心，激光诱导刻蚀法或为未来主流；高质量的金属填充则是另一难点，TGV孔径较大且形状不同，主要有盲孔、垂直通孔、X型通孔以及V型通孔四种类型，这些形状对铜的沉...