光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火

中航科技电子团队2023年9月8日中航证券研究所发布证券研究报告请务必阅读正文后的免责条款部分行业评级：增持光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火股市有风险入市需谨慎分析师：刘牧野证券执业证书号：S0640522040001研究助理：刘一楠证券执业证书号：S0640122080006核心观点◼光刻为IC制造核心工艺，光刻技术的演进成就了摩尔定律。光刻工艺占IC制造1/2的时间+1/3的成本，在瑞利公式：𝐶𝐷=𝑘1𝜆/𝑁𝐴的指导下，人类在缩短波长𝜆，增大数值孔径NA，降低工艺因子𝑘1三个方面展开探索，目前已实现13.5nm波长与达物理极限的𝑘1，正在向0.55NAEUV迈步。为了实现进一步制程微缩，业界多采用多重曝光工艺，但对光刻机的套刻精度、图形畸变、稳定性有更高的要求。10nm及以下时，ArFi+多重曝光的复杂度急剧上升，经济性下降，EUV的出现使摩尔定律得以延续。◼光刻机由三大核心系统，数万个零件组成，是产业链各环节顶尖公司通力合作的成果。1）光源方面，DUV采用准分子激光器，技术掌握在Cymer和Gigaphoton手中，国内科益虹源打破垄断；EUV光源是通过高功率CO2激光器轰击Sn滴而来，高功率激光器为核心组件。2）光学系统是光刻机分辨率成像的保证，由照明系统和物镜系统构成，照明系统优化成像过程，实现分辨率增强；投影物镜系统将掩模图形聚焦成像，ZEISS为ASML关键光学元件独供商，国内技术水平仍有较大差距。3）双工件台系统有效提高了光刻精度与效率，国内华卓精科和清华大学团队走在前列。◼光刻重要性愈显，国内亟待0→1的突破。半导体行业十年翻倍，晶圆厂积极扩产，叠加芯片性能升级，光刻强度上升，预计5nm逻辑芯片的光刻支出占比达...