半导体存储行业跟踪：主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片-240708-海通证券-21页

证券研究报告（优于大市，维持）半导体存储行业跟踪：主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片张晓飞（SAC号码：S0850523030002）联系人：郦奕滢2024年07月08日价格端：根据TrendForce集邦微信公众号，24年3月，观察到DRAM供应商库存虽已降低，但尚未回到健康水位，且在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率，整体一季度DRAM及NANDFlash价格涨幅分别达到20%及23~28%。第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NANDFlash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者的补货动能较强，在预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大。需求端：AI+半导体驱动存储需求提升。2024年DRAM及NANDFlash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，ServerDRAM单机平均容量预估年增17.3%；EnterpriseSSD则预估年增13.2%。2请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明HBM：根据TrendForce集邦微信公众号，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（ConventionalDRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。供给端：根据TrendForce集邦微信公众号，受到HBM产能排挤，若先进制程产...