电子行业HBM：AI的内存瓶颈，高壁垒高增速-240309-中信建投-50页

证券研究报告行业深度HBM：AI的内存瓶颈，高壁垒高增速分析师：刘双锋分析师：章合坤分析师：孙芳芳研究助理：何昱灵liushuangfeng@csc.com.cnzhanghekun@csc.com.cnsunfangfang@csc.com.cnheyuling@csc.com.cnSAC编号：S1440520070002SAC编号：S1440522050001SAC编号：S1440520060001发布日期：2024年3月9日本报告由中信建投证券股份有限公司在中华人民共和国（仅为本报告目的，不包括香港、澳门、台湾）提供。在遵守适用的法律法规情况下，本报告亦可能由中信建投（国际）证券有限公司在香港提供。同时请务必阅读正文之后的免责条款和声明。摘要•HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM，预计2024年HBM3e24GB/36GB版本将量产/发布，内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏，市场规模高速增长。通过分析生产工艺（TSV、键合等）和技术演进方向（先进制程、叠层），我们认为封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向。•HBM是当前算力的内存瓶颈。存储性能是当下制约高性能计算的关键因素，从存储器到处理器，数据搬运会面临带宽和功耗的问题。为解决传统DRAM带宽较低的问题，本质上需要对单I/O数据速率和位宽进行提升。HBM由于采用了TSV、微凸块等技术，DRAM裸片、计算核心间实现了较短的信号传输路径、较高的I/O数据速率、高位宽和较低的I/O电压，因此具备高带宽、高存储密度、低功耗等优势。即便如此，当前HBM的性能仍然跟不上算力卡的需求。•三大原厂持续加大研发投入，HBM性能倍数级提升。随着技术的迭代，HBM的层数、容量、带宽指标...