封装材料行业深度报告：“后摩尔时代”，国产材料助力先进封装新机遇-240305-财通证券-65页

“后摩尔时代”，国产材料助力先进封装新机遇投资评级:看好(维持)封装材料行业深度报告证券研究报告最近12月市场表现核心观点半导体沪深300上证指数❖“后摩尔时代”，先进封装成为晶圆制造主流技术发展路线：晶圆制造17%物理性能接近极限，英特尔CEO基辛格曾表示“摩尔定律”的节奏正在放缓至三年。先进封装技术通过优化芯片间互连，在系统层面实现算力、功耗和集成6%度等方面的提升，是突破摩尔定律的关键技术方向。-5%-16%❖先进封装工艺仍处于起步阶段，不同工艺仍在向前发展：Bump、RDL、-26%TSV、Wafer具备任意一个均可以被称为先进封装。Bump（凸点）大小和间距-37%逐步缩小直至被无凸点的混合键合技术取代；RDL（重布线层）的线宽和线距都在变小；TSV（硅通孔）的深宽比提升的同时孔直径在缩小。分析师张益敏国际巨头提前进行技术布局，推出多种基于Chiplet的解决方案：台积SAC证书编号：S0160522070002❖电提前布局先进封装，3DFabric系统整合技术整合资源，展示了通过硅中介层进行子系统集成的技术框架，这一技术框架即为CoWoS的关键技术；英特尔zhangym02@ctsec.com的先进封装主要关注互连密度、功率效率和可扩展性三个方面，Foveros和混合键合技术主要关注功率效率、互连密度方面，而Co-emib和ODI技术则聚分析师白宇焦于可扩展性特点；沿着水平集成和垂直集成的方向，三星也开发出2.5D封SAC证书编号：S0160523100001装技术，如I-Cube和H-Cube，以及3D封装技术X-Cube。baiyu@ctsec.com先进封装环节众多，不同环节材料需求不同：IC载板是芯片封装的关键相关报告材料，是裸芯片和外界电路之间的桥梁；电镀液广泛应用在凸...