电子行业深度研究报告：AI浪潮汹涌，HBM全产业链迸发向上-240331-华创证券-28页

证券研究报告电子2024年03月31日电子行业深度研究报告推荐（维持）AI浪潮汹涌，HBM全产业链迸发向上AI需求爆发驱动HBM快速增长，三大存储原厂引领市场。HBM即高带宽存华创证券研究所储器，是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，具有高内存带宽、低能耗、更多I/O数量、更小尺寸等优势。自2013年海力士首次制造问世以来，证券分析师：耿琛HBM已迭代至第五代HBM3E，该代际产品最大容量为36GB，每引脚最大数据速率为9.2Gbps，最大带宽超过每秒1.18TB。ChatGPT爆火AI大模型迎来电话：0755-82755859快速发展，引爆算力需求，HBM助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最邮箱：gengchen@hcyjs.com优解决方案。为应对NVIDIA和大型CSP厂商对高带宽存储订单的不断增加，执业编号：S0360517100004各大存储供应商持续扩大HBM产量，有望推动HBM市场规模在2024年达到169亿美元，同比增长288%，占DRAM产业产值比重或提升至20.1%，证券分析师：岳阳同比提升11.7pct。SK海力士独占HBM市场半壁江山，三星有望逐步缩小差距。根据TrendForce数据，2022年三大原厂HBM份额分别为SK海力士占比邮箱：yueyang@hcyjs.com50%，三星占比约40%，美光（Micron）占比约10%。执业编号：S0360521120002证券分析师：吴鑫设备端：TSV提升前道工艺及设备需求，混合键合对先进封装提出了更高的邮箱：wuxin@hcyjs.com要求。TSV是HBM核心工艺，成本占比近30%。TSV属于前道工艺，用于生执业编号：S0360523060001产HBM的DRAM颗粒需要在制造过程中预留TSV打孔的位置，属于定制颗证券分析师：姚德昌粒，其中最关键的中通孔（ViaMiddle）的制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等...