电子行业专题报告-先进封装专题八：CoWoS-L-下一代大尺寸高集成封装方案-240512-方正证券-14页

行业研究2024.05.12电子行业专题报告先进封装专题八：CoWoS-L——下一代大尺寸高集成封装方案方正证券研究所证券研究报告分析师登记编号：S1220523080004CoWoS-S升级迭代，中介层面积增加、多芯片翘曲等带来升级过程诸多挑郑震湘登记编号：S1220523070005战。CoWoS能够在紧凑平面并排集成多个芯片，提供更高集成度，目前已广佘凌星登记编号：S1220523080001泛用于HPC和AI芯片的封装。为能够排列更多芯片、容纳更多晶体管从而刘嘉元提高系统性能，中介层面积需要不断扩大。通过四重掩模光刻拼接技术，台积电CoWoS-S5将硅中介层面积扩展到相当于三个完整掩模尺寸，最多已能行业评级:推荐够实现3颗SoC芯片和8个颗HBM共封。在继续增加硅中介层尺寸至下一代4x掩膜版尺寸过程中，超过四重掩模拼接的光刻过程复杂性带来了中介行业信息层制造大量生产效率损失。不同掩模间边界拼接误差控制也非常具有挑战。此外不同堆叠方式和材料构成的顶层芯片翘曲行为非常复杂、不易控制。上市公司总家数509CoWoS-L无需掩膜拼接，解决大型硅中介层良率问题，带来更高灵活性。总股本(亿股)4,986.78CoWoS-L中介层包括多个局部硅互连（LSI）芯片和全局重布线（globalRDL），形成一个重组中介层（RI），以替代CoWoS-S中的单片硅中介层。销售收入(亿元)13,211.67LSI芯片保留了硅中介层的所有优秀特性，包括保留亚微米铜互连、硅通孔（TSV）和嵌入式深沟槽电容器（eDTC），以确保良好的系统性能，同时避利润总额(亿元)680.77免了单个大型硅中介层的良率损失问题。此外，RI中引入了绝缘体通孔（TIV）作为垂直互连，比TSV插入损耗更低。目前台积电已成功实现具有...