HBM3E量产在即，关注国产HBM突破和产业链受益[Tab2le0_2Re4po年rtDa0t3e]月10日证券研究报告[HTBabMle_3TEit量le]产在即，关注国产HBM突破和产业链受益行业研究[Table_ReportDate]2024年03月10日[行Ta业ble专_Re题po研rtT究ype（]普通）本期内容提要:[半Ta导bl体e_StockAndRank][Ta[➢Tbalbel_海eS_uS外mumm大amr厂ya]ryH]BM3E量产在即。（1）近日，美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达H200TensorCoreGPU将采投资评级看好用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并于2024年第二季度开始出货。美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s上次评级看好的内存带宽。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%。（2）三星发布首款36GBHBM3E12HDRAM，目前[莫Ta文b宇le_电Au子th行o业r]首席分析师为三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3执业编号：S15005220900018H，HBM3E12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM38H，HBM3E12H搭载于人工智能应用后，公司预计人工智能训练平邮箱：mowenyu@cindasc.com均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。（3）SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作，并顺利信达证券股份有限公司完成英伟达历时半年的性能评估，计划于3月开始大规模生产CINDASECURITIESCO.,LTDHBM3E产品，这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI北京市西城区闹市口大街9号院1号楼芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季度末或第邮编：100031三季度初推出该系列产品。➢国内存储...
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